產(chǎn)品系列
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歐美晶振
臺產(chǎn)晶振
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Add:廣東深圳市寶安區(qū)67區(qū)留仙一路甲岸科技園3棟5樓
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QQ:632862232
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- 編號：26009011
- 頻率：32.768KHZ
- 尺寸：1.6*1.2*0.7mm
ILSI晶振,ISM37晶振,CMOS輸出振蕩器
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15μA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對...
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ILSI晶振,ISM37晶振,CMOS輸出振蕩器.普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機(jī)上對應(yīng)自動貼裝等優(yōu)勢
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使有源晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使有源晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
ILSIAmerica成立于1987年,其使命是成為世界級的ILSI供應(yīng)商.頻率控制產(chǎn)品.通過有機(jī)增長和戰(zhàn)略收購,美國ILSI進(jìn)口晶振現(xiàn)在是廣泛設(shè)計(jì),制造和供應(yīng)的全球領(lǐng)導(dǎo)者,涵蓋四個品牌的件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美國ILSI晶振滿足廣泛的要求,滿足OEM和CEM的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn).通過以下產(chǎn)品在許多垂直市場的客戶:石英晶體,晶體振蕩器,MEMS振蕩器,TCXO,VCXO,OCXO,濾波器和諧振器.
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| 型號 | 符號 | ISM37 |
| 輸出方式 | - | CMOS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 32.768KHZ |
| 電源電壓 | VCC | +1.8V，+2.5V，+3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±15ppm，±20ppm，±30ppm，±50ppm |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -40~+105℃ |
| 運(yùn)行溫度范圍 | T_use |
0℃~+70℃ -20℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
| 待機(jī)時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 15pF |
| 波形對稱 | SYM | 45~?55% [at outputs cross point] |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] |
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未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致石英SMD晶振非正常工作.同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致石英SMD晶振非正常工作.同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶振性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)溫補(bǔ)晶振功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20mm范圍之間).
美國ILSI晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶振、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動.
美國ILSI晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).
遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護(hù)活動的信息公開.
ILSI晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去ILSI晶振集團(tuán)已經(jīng)針對重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).
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為您做到低成本,高效率.
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