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晶振廠家
進口晶振
歐美晶振
臺產(chǎn)晶振
Tel:0755-27838351
Add:廣東深圳市寶安區(qū)67區(qū)留仙一路甲岸科技園3棟5樓
Email:konuaer@163.com
QQ:632862232
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- 編號：49467416
- 頻率：1.5~80MHz
- 尺寸：5.0*3.2*1.3mm
MTRONPTI晶振,M2034晶振,高品質(zhì)振蕩器
5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕...
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MTRONPTI晶振,M2034晶振,高品質(zhì)振蕩器.貼片石英晶體振蕩器,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使SMD晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使SMD晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
MtronPTI與基礎(chǔ)材料科學和制造的完全控制垂直整合,為高可靠性高性能互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)定時,公共安全和軍用/航空通信與控制,儀器儀表和能源管理應(yīng)用提供解決方案.基于佛羅里達州奧蘭多市的設(shè)計,銷售以及在北美,亞洲和歐洲的生產(chǎn)基地,MtronPTI有源晶振是LGL集團（NYSE MKT:LGL）的子公司.
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| 型號 | 符號 | M2034 |
| 輸出方式 | - | HCMOS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 1.5~80MHz |
| 電源電壓 | VCC | +1.8V~+3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±100ppm |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55℃~+125℃ |
| 運行溫度范圍 | T_use |
-10℃~+70℃ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
| 待機時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負載 | Load-R | 15pF |
| 波形對稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] |
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抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.
化學制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.機械振動的影響當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計可小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的5032晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
MtronPTI晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.
MtronPTI晶振集團將確保其石英環(huán)保晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動. 在地方對各項設(shè)施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標準規(guī)范的要求.
MtronPTI晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去MtronPTI晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.
美國MtronPTI晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).
遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
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