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來源：http://m.xlspa.cn 作者：康華爾電子 2019年12月06
CSX-252FAE25000000T西鐵城振蕩器的正確用法要看這里
日本シチズンファインデバイス株式會社的中文名字叫做西鐵城晶振,已經是我們介紹過多次的知名品牌了,但是對于他們的產品,許多用戶仍然是一知半解,尤其是西鐵城生產的石英晶體振蕩器,在市場的需求量常年都是比較大的.質量是業界和用戶公認的優質,通常只要參數選型沒問題,正常情況下可以用得很好,但由于部分用戶對振蕩器不熟悉,尤其是復雜的電路匹配,或是其他操作方式不正確,都有可能導致晶振使用異常.因此在使用西鐵城晶振時,最好遵循以下的方法和操作.
1.晶振的使用注意事項
I.誤丟時:石英晶體振蕩器單元的設計和制造符合振動和沖擊的要求標準,但如果振蕩器單元意外掉落在地板上,則應按原樣使用.使用前請務必檢查性能.
II.焊接時:
1.焊接導線時,請在380ºC內和3秒內焊接烙鐵頭溫度.
2.通過浸錫安裝時,請在260ºC或更低的溫度下10秒鐘內焊接.此外,建議將晶體單元立在板上時進行焊料浸漬.另外,在將晶振單元浸入板上時,請確保熱量不會傳遞到整個晶振單元上.
3.當將熱量施加到整個振蕩器單元(例如,回流爐)時,爐子非常小,使用焊料的壓裝方法可能會大大降低性能.
III.在板上安裝時:
如果以相反的方向安裝,可能會導致故障或損壞,請務必在安裝前檢查方向.使用自動安裝機時,請確保沒有損壞,并使用影響較小的型號.
熱沖擊:
避免反復快速的溫度變化,因為這可能會導致內置晶體單元的劣化和封裝中的斷線.
靜電:
如果對集成電路施加過多的靜電,可能會損壞集成電路,請使用導電包裝和運輸容器.此外,請使用不會泄漏高壓的電烙鐵,測量電路等,并在工作期間將其接地.
VII.噪音:
如果在電源和輸入端子上施加過多的外部噪聲,則可能會導致閂鎖現象和雜散現象,從而可能導致故障.另外,請勿在石英晶體振蕩器附近放置任何會產生高噪聲的東西.
VIII.電源線:
將電源阻抗設計為盡可能低.為了穩定運行,請在振蕩器的電源引腳(VDD引腳和GND引腳)上盡可能靠近地連接一個約0.01μF至0.1μF的旁路電容器.將電源線(VDD,GND)粗細短接.
IX.輸出線:
將輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的位置,以降低輸出和電磁輻射的線路阻抗.
X.輸入行:
盡管OE在內部上拉,但請使用低阻抗作為噪聲對策,或者在不使用時將其連接至VDD.
振蕩器電路設計注意事項
設計振蕩電路時,必須將電路常數設置為最佳條件,以便最大程度地利用晶體單元的特性.CITIZEN晶振提供了一項服務,該服務可根據以下經驗研究以下特性,以優化西鐵城有源晶振單元和晶體之間的匹配.此電路調查的目的是讓客戶更安全地使用晶體單元.
1. MOS型晶體振蕩電路
CMOS晶體振蕩電路
2.頻率與電源電壓特性
表示相對于電源電壓變化的頻率變化率.由于功率波動引起的頻率變化的原因在電路側(尤其是IC)比晶體單元大,通常希望將頻率變化率保持在±5ppm以內,電源電壓波動為±10％的.
3.頻率-溫度特性
代表頻率相對于溫度的變化率.單獨的石英晶體單元的頻率溫度特性和整個振蕩電路的特性之間可能會有很大的差異.
4.如何檢查振蕩余量
為了確認振蕩電路的振蕩余量是否足夠,需要知道振蕩電路的負電阻(-R).插入與晶振單元串聯的可變電阻器(VR),并從振蕩停止狀態更改到振蕩開始為止的值.振蕩開始時的VR值變為負電阻值(-R).為了獲得足夠的振蕩電路的振蕩余量,請調整C1,C2和Rd,以使負電阻值至少為石英晶體振蕩器單元有效電阻值的5倍.此外,當用于車載等高度可靠的設備時,建議使用10次以上.
CSX-252FAE25000000T晶振是西鐵城公司旗下一款小體積2520mm封裝的石英晶體振蕩器,以上的晶振注意事項和操作用法,都適用于任何一種有源晶振,如果有疑問,可以到http://m.xlspa.cn/康華爾電子官網上留言提出,我們將會給出完整正確的答案,接下來我司將分享部分西鐵城振蕩器的原廠編碼,供廣大新老客戶參考選型.
CSX-252FAE25000000T西鐵城振蕩器的正確用法要看這里
日本シチズンファインデバイス株式會社的中文名字叫做西鐵城晶振,已經是我們介紹過多次的知名品牌了,但是對于他們的產品,許多用戶仍然是一知半解,尤其是西鐵城生產的石英晶體振蕩器,在市場的需求量常年都是比較大的.質量是業界和用戶公認的優質,通常只要參數選型沒問題,正常情況下可以用得很好,但由于部分用戶對振蕩器不熟悉,尤其是復雜的電路匹配,或是其他操作方式不正確,都有可能導致晶振使用異常.因此在使用西鐵城晶振時,最好遵循以下的方法和操作.
I.誤丟時:石英晶體振蕩器單元的設計和制造符合振動和沖擊的要求標準,但如果振蕩器單元意外掉落在地板上,則應按原樣使用.使用前請務必檢查性能.
II.焊接時:
1.焊接導線時,請在380ºC內和3秒內焊接烙鐵頭溫度.
2.通過浸錫安裝時,請在260ºC或更低的溫度下10秒鐘內焊接.此外,建議將晶體單元立在板上時進行焊料浸漬.另外,在將晶振單元浸入板上時,請確保熱量不會傳遞到整個晶振單元上.
3.當將熱量施加到整個振蕩器單元(例如,回流爐)時,爐子非常小,使用焊料的壓裝方法可能會大大降低性能.
III.在板上安裝時:
如果以相反的方向安裝,可能會導致故障或損壞,請務必在安裝前檢查方向.使用自動安裝機時,請確保沒有損壞,并使用影響較小的型號.
熱沖擊:
避免反復快速的溫度變化,因為這可能會導致內置晶體單元的劣化和封裝中的斷線.
靜電:
如果對集成電路施加過多的靜電,可能會損壞集成電路,請使用導電包裝和運輸容器.此外,請使用不會泄漏高壓的電烙鐵,測量電路等,并在工作期間將其接地.
VII.噪音:
如果在電源和輸入端子上施加過多的外部噪聲,則可能會導致閂鎖現象和雜散現象,從而可能導致故障.另外,請勿在石英晶體振蕩器附近放置任何會產生高噪聲的東西.
VIII.電源線:
將電源阻抗設計為盡可能低.為了穩定運行,請在振蕩器的電源引腳(VDD引腳和GND引腳)上盡可能靠近地連接一個約0.01μF至0.1μF的旁路電容器.將電源線(VDD,GND)粗細短接.
IX.輸出線:
將輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的位置,以降低輸出和電磁輻射的線路阻抗.
X.輸入行:
盡管OE在內部上拉,但請使用低阻抗作為噪聲對策,或者在不使用時將其連接至VDD.
振蕩器電路設計注意事項
設計振蕩電路時,必須將電路常數設置為最佳條件,以便最大程度地利用晶體單元的特性.CITIZEN晶振提供了一項服務,該服務可根據以下經驗研究以下特性,以優化西鐵城有源晶振單元和晶體之間的匹配.此電路調查的目的是讓客戶更安全地使用晶體單元.
1. MOS型晶體振蕩電路
CMOS晶體振蕩電路
| CL | 承載能力 |
| -R | 負載電阻 |
| Le | 有效電感 |
| Re | 有效抵抗 |
表示相對于電源電壓變化的頻率變化率.由于功率波動引起的頻率變化的原因在電路側(尤其是IC)比晶體單元大,通常希望將頻率變化率保持在±5ppm以內,電源電壓波動為±10％的.
3.頻率-溫度特性
代表頻率相對于溫度的變化率.單獨的石英晶體單元的頻率溫度特性和整個振蕩電路的特性之間可能會有很大的差異.
為了確認振蕩電路的振蕩余量是否足夠,需要知道振蕩電路的負電阻(-R).插入與晶振單元串聯的可變電阻器(VR),并從振蕩停止狀態更改到振蕩開始為止的值.振蕩開始時的VR值變為負電阻值(-R).為了獲得足夠的振蕩電路的振蕩余量,請調整C1,C2和Rd,以使負電阻值至少為石英晶體振蕩器單元有效電阻值的5倍.此外,當用于車載等高度可靠的設備時,建議使用10次以上.
| CSX-252FAE24576000T | CSX-252F晶振 | 24.576MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE40000000T | CSX-252F晶振 | 40MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE20000000T | CSX-252F晶振 | 20MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE6000000T | CSX-252F晶振 | 6MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE33300000T | CSX-252F晶振 | 33.3MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE10000000T | CSX-252F晶振 | 10MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE48000000T | CSX-252F晶振 | 48MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE27000000T | CSX-252F晶振 | 27MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE12000000T | CSX-252F晶振 | 12MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE25000000T | CSX-252F晶振 | 25MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE35000000T | CSX-252F晶振 | 35MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE16934400T | CSX-252F晶振 | 16.9344MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE30720000T | CSX-252F晶振 | 30.72MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE13000000T | CSX-252F晶振 | 13MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE50000000T | CSX-252F晶振 | 50MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE16000000T | CSX-252F晶振 | 16MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE24000000T | CSX-252F晶振 | 24MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE26000000T | CSX-252F晶振 | 26MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE33000000T | CSX-252F晶振 | 33MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAP32768T | CSX-252F晶振 | 32.768kHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX532T19.800M3-U10 | CSX532T晶振 | 19.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T19.800M2-U10 | CSX532T晶振 | 19.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T13.000M2-UT10 | CSX532T晶振 | 13MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.800M2-UT10 | CSX532T晶振 | 16.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T19.200M2-UT10 | CSX532T晶振 | 19.2MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T26.000M2-UT10 | CSX532T晶振 | 26MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T13.000M3-UT10 | CSX532T晶振 | 13MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.800M3-UT10 | CSX532T晶振 | 16.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T19.200M3-UT10 | CSX532T晶振 | 19.2MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T26.000M3-UT10 | CSX532T晶振 | 26MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.3676M2-UT-10 | CSX532T晶振 | 16.3676MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.3676M3-UT-10 | CSX532T晶振 | 16.3676MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T24.5535M2-UT-10 | CSX532T晶振 | 24.5535MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T24.5535M3-UT-10 | CSX532T晶振 | 24.5535MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX325FJC12.500M-UT | CSX-325F晶振 | 12.5MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FJC13.500M-UT | CSX-325F晶振 | 13.5MHz | (3.20mmx2.50mm) |
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| CSX325FHC48.000M-UT | CSX-325F晶振 | 48MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T13.000M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 13MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T13.000M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 13MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T16.000M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 16MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T16.000M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 16MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T19.200M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 19.2MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T19.200M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 19.2MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T26.000M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 26MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T26.000M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 26MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T33.600M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 33.6MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T33.600M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 33.6MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T38.400M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 38.4MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T38.400M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 38.4MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX532T12.800M2-UT10 | CSX532T晶振 | 12.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T12.800M3-UT10 | CSX532T晶振 | 12.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T13.000M1-UT10 | CSX532T晶振 | 13MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.000M2-UT10 | CSX532T晶振 | 16MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.000M3-UT10 | CSX532T晶振 | 16MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T19.680M3-UT10 | CSX532T晶振 | 19.68MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T19.800M2-UT10 | CSX532T晶振 | 19.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T20.000M2-UT10 | CSX532T晶振 | 20MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T20.000M3-UT10 | CSX532T晶振 | 20MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T26.000M1-UT10 | CSX532T晶振 | 26MHz | (5.00mmx3.20mm) |
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