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更多>>什么叫做可編程貼片晶振？
來源：http://m.xlspa.cn 作者：晶振帝國 2016年11月17
什么叫做可編程晶振？其實可編程還有個很好聽的名字叫做：硅晶體，可編程石英晶振簡單的解釋就是，把你需要的晶振頻率，精度，電壓，負載等要求提供過來，在通過簡單的電腦編輯器，把你需要的這些參數在電腦控制器上，輸入你所提供的參數，然后按下確定鍵就可以把頻率，電壓等參數寫入到空白的晶振片上。如果還是不明白你就想一下，IC是怎么編程的，原理跟IC編程一個道理，只不過IC編程有分為電腦編輯以及手工模擬編輯，手工模擬編輯就是把一顆工片放在主機上，母片放入編輯機的附件，按下確定就可以把公片上的IC系列參數復制進入母片，不過目前可編輯的石英晶振現在還沒做到這種地步。
現在市面上對硅晶體技術以及產量做的最優越的還得說美國的SiTime Crystal，對于美國SiTime晶振品牌來說在歐美市場非常受歡迎，并且很多大型科技企業得到了廣泛應用，很遺憾的事，可編程硅晶體目前只針對有源石英晶體振蕩器系列，并不對普通壓電石英晶振可采取數據編輯。
SiTime硅晶振選型表
目前石英晶振行業可編輯的只針對貼片晶振系列產品，并且只限定有源晶振的石英晶體振蕩器OSC系列尺寸。如果是普通無源石英晶體諧振器系列的話，目前是還不支持可編程的，并且是指針對SMD晶振系列，如果是引線型的插件晶振目前也不在支持范圍。
根據早期電子元件信息平臺發布，將來美國SiTime Corporation公司的硅晶體技術將會代替壓電石英晶體，首先主要是先把硅晶體晶片植入ICCUP芯片一起綁定，硅晶體晶片跟ICCPU綁定之后，在外圍的線路上講可以省略預留壓電石英晶體的位置，起到對貼片晶振的取代，并且可以為日益變小的電子產品節省更多的空間，不過時間都已經過去好幾年了，也沒見多有所行懂，目前應該還存在理論上。
那么可編程石英晶振目前市場如何呢？可編程石英晶振目前市場前景在中國國內來說市場并不是很好，國內主要還是使用常規的壓電石英晶體振蕩器多點，目前硅晶體可編程系列在國內接受度并沒有得到廣泛的認可，說難聽點很多人連聽都沒聽說過，更別說使用了。
目前國內市場有用到硅晶體可編程貼片晶振的企業主要以歐美企業，以及代工歐美OEM的企業比較多，因為可編程有源晶振在歐盟接受度還是比較大的。不過可硅晶體編程有源晶振對于一些工程設計，或者產品開發人士來說是件非常好的事情，因為很多產品在開發階段使用頻率都還處在選型階段，而且硅晶體屬于可編程貼片晶振，這樣就大大的滿足了工程設計階段樣品采購。
KDS晶振可編程系列M08008系列晶振
出力周波數：1 MHz～110 MHz（小數點以下6桁まで対応）
外形寸法：2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0 mm
周波數許容偏差：±20 x 10-6
低消費電流：+3.5 mA (typical、Vdd = +1.8V)
IDSC,DVC、DVR、IP CAM,e-Books Tablets,SSD,GPON、EPON等
USB,以及入門級SATA,SAS,Firewire 100米,1 G / 10g /以太網
那么目前在國內市場都有那些品牌在做可編程石英晶振呢？在做的品牌有日本大真空KDS晶振，精工愛普生株式會社，愛普生晶振，日本京瓷晶振，KSS晶振品牌，以及臺灣泰藝晶振，臺灣亞陶晶振，美國SiTime晶振，不過目前在市場銷售的品牌也就主要以美國SiTime晶振品牌為主了，臺灣晶振品牌，以及日本進口晶振品牌中，在市場公開普及銷售的還是比較少，不過日本的愛普生晶振品牌，以及KDS晶振品牌，這兩個品牌目前可接受可編程晶振的定制，不過價格比起普通的壓電石英晶體振蕩器來說，還是非常昂貴的。
現在市面上對硅晶體技術以及產量做的最優越的還得說美國的SiTime Crystal，對于美國SiTime晶振品牌來說在歐美市場非常受歡迎，并且很多大型科技企業得到了廣泛應用，很遺憾的事，可編程硅晶體目前只針對有源石英晶體振蕩器系列，并不對普通壓電石英晶振可采取數據編輯。
SiTime硅晶振選型表
|
普通單端振蕩器XO 1-220MHz |
高性能、低抖動 <1 ps Phase Jitter ±10ppm |
SiT8208（1-80MHz） |
| SiT8209（80.000001-220 MHz） | ||
|
低功耗系列 <3.8mA |
SiT8008（1-110MHz,最小封裝尺寸2.0×1.6mm） | |
| SiT8009（115-137MHz） | ||
|
業界首款SOT23封裝振蕩器 成本更低 |
SiT2001（1-110MHz,SOT23-5封裝2.9×2.8mm） | |
| SiT2002（115-137MHz） | ||
|
RTC時鐘32.768KHz 超低功耗，超高精度 |
典型值0.9uA ±20ppm |
SiT1533（2.0×1.2mm,SMD） |
| SiT1532（1.5×0.8mm,CSP） | ||
| SiT1630（2012 SMD,-40～105℃） | ||
| 業界精度最高32.768K TCXO | SiT1552（±5ppm,1.5×0.8mm） | |
|
差分振蕩器DXO 1-625MHz |
LVDS/LVPECL <1 ps Phase Jitter ±10ppm |
SiT9121（1-220MHz,2.25～3.63v） |
| SiT9122（220.000001-625MHz，最小封裝可到3.2×2.5mm） | ||
|
壓控振蕩器VCXO 1-625MHz |
<1 ps Jitter LVCMOS/LVTTL |
SiT3808（1-80MHz,pull rang ±25 ppm to ±1600ppm） |
| SiT3809（80.000001-220 MHz） | ||
|
<0.75 ps Jitter LVDS/LVPECL |
SiT3821（1-220MHz） | |
| SiT3822（220.000001-625MHz） | ||
|
抗沖擊寬溫振蕩器 -55℃～125℃，±20ppm MTBF 13億小時 |
AEC-Q100汽車級振蕩器 SOT23-5封裝 |
SiT2024（1-110MHz, -40～105℃, -40～125℃） |
| SiT2025（115.2-137MHz） | ||
|
AEC-Q100汽車級振蕩器 普通SMD封裝 |
SiT8924（1-110MHz, -40～125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm） | |
| SiT8925（220.000001-625MHz） | ||
|
50kg沖擊軍品級振蕩器 SOT23-5封裝 |
SiT2020（1-110MHz, -55～125℃） | |
| SiT2021（119.342001-137MHz） | ||
|
50kg沖擊軍品級振蕩器 標準SMD封裝 |
SiT8920（1-110MHz, -55～125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm） | |
| SiT8921（119.342001-137MHz） | ||
|
編程器與FP空白片 任意頻率，多種規格 |
SiT6100DK（SiTime硅晶振編程器套裝） | |
| SiT800X/ SiT200X（低功耗可編程晶振空白片，6種封裝尺寸） | ||
| SiT8208/9A1-X1-XXX-000.FP000（低抖動可編程晶振空白片） | ||
| SiT912X/ SiT38XX（壓控差分可編程晶振空白片，3種封裝尺寸） |
目前石英晶振行業可編輯的只針對貼片晶振系列產品，并且只限定有源晶振的石英晶體振蕩器OSC系列尺寸。如果是普通無源石英晶體諧振器系列的話，目前是還不支持可編程的，并且是指針對SMD晶振系列，如果是引線型的插件晶振目前也不在支持范圍。
| 愛普生可編程晶振 | SG-8101CA | SG-8101CB | SG-8101CE | SG-8101CG |
|---|---|---|---|---|
| Size | 7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. | 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. | 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ. | 2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ. |
| Output | CMOS | |||
|
Frequency range [ f0 ] |
0.67 MHz to 170 MHz | |||
|
Supply voltage [ Vcc] |
1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. ) |
|||
|
Frequency tolerance /Operating temperature |
±15 x 10-6 / -40℃ to +85℃ ±20 x 10-6 / -40℃ to +105℃ ±50 x 10-6 / -40℃ to +105℃ |
|||
| Current consumption |
f0 = 20 MHz 3.0 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.5 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) f0 = 170 MHz 6.8 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.1 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) |
|||
| Standby current |
0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ ) |
|||
| Field oscillator programming tool | SG-Writer II愛普生晶振可編程系列 | |||
根據早期電子元件信息平臺發布，將來美國SiTime Corporation公司的硅晶體技術將會代替壓電石英晶體，首先主要是先把硅晶體晶片植入ICCUP芯片一起綁定，硅晶體晶片跟ICCPU綁定之后，在外圍的線路上講可以省略預留壓電石英晶體的位置，起到對貼片晶振的取代，并且可以為日益變小的電子產品節省更多的空間，不過時間都已經過去好幾年了，也沒見多有所行懂，目前應該還存在理論上。
| 愛普生晶振可編程系列 | SG-9101CA | SG-9101CB | SG-9101CE | SG-9101CG |
|---|---|---|---|---|
| Size | 7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. | 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. | 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ. | 2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ. |
| Output | CMOS | |||
|
Frequency range [ f0 ] |
0.67 MHz to 170 MHz | |||
|
Supply voltage [ Vcc] |
1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. ) |
|||
| Spread-spectrum | Down or Center spread modulation | |||
| Operating temperature |
-40℃ to +85℃ -40℃ to +105℃ |
|||
| Current consumption |
f0 = 20 MHz 3.2 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.7 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) f0 = 170 MHz 7 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.3 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) |
|||
| Standby current |
0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ ) |
|||
| Field oscillator programming tool | SG-Writer II愛普生晶振可編程SG-9101系列 | |||
那么可編程石英晶振目前市場如何呢？可編程石英晶振目前市場前景在中國國內來說市場并不是很好，國內主要還是使用常規的壓電石英晶體振蕩器多點，目前硅晶體可編程系列在國內接受度并沒有得到廣泛的認可，說難聽點很多人連聽都沒聽說過，更別說使用了。
目前國內市場有用到硅晶體可編程貼片晶振的企業主要以歐美企業，以及代工歐美OEM的企業比較多，因為可編程有源晶振在歐盟接受度還是比較大的。不過可硅晶體編程有源晶振對于一些工程設計，或者產品開發人士來說是件非常好的事情，因為很多產品在開發階段使用頻率都還處在選型階段，而且硅晶體屬于可編程貼片晶振，這樣就大大的滿足了工程設計階段樣品采購。
KDS晶振可編程系列M08008系列晶振
出力周波數：1 MHz～110 MHz（小數點以下6桁まで対応）
外形寸法：2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0 mm
周波數許容偏差：±20 x 10-6
低消費電流：+3.5 mA (typical、Vdd = +1.8V)
IDSC,DVC、DVR、IP CAM,e-Books Tablets,SSD,GPON、EPON等
USB,以及入門級SATA,SAS,Firewire 100米,1 G / 10g /以太網
| KDS晶振可編程 | 記號 | Min. | Typ. | Max. | 単位 | 條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 出力周波數範囲 | f | 1 | - | 110 | MHz | |
| 電源電圧 | Vdd | +1.62 | +1.8 | +1.98 | V | |
| +2.25 | +2.5 | +2.75 | ||||
| +2.52 | +2.8 | +3.08 | ||||
| +2.7 | +3.0 | +3.3 | ||||
| +2.97 | +3.3 | +3.63 | ||||
| +2.25 | - | +3.63 | ||||
| 動作溫度範囲 | T_use | -20 | - | +70 | ℃ | Extended Commercial |
| -40 | - | +85 | Industrial | |||
| 周波數許容偏差 | F_stab | -20 | - | +20 | ×10-6 |
+25℃での初期周波數偏差、経時変化(1年)、溫度特性、 動作電源電圧範囲での電源電圧特性、負荷特性を含む。 |
| -25 | - | +25 | ||||
| -50 | - | +50 | ||||
| 消費電流 | Idd | - | +3.8 | +4.5 | mA | No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.8V ~ +3.3V |
| - | +3.7 | +4.2 | No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.5V | |||
| - | +3.5 | +4.1 | No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +1.8V | |||
| OEディスエーブル電流 | I_od | - | - | +4.2 | mA | Vdd = +2.5V ~ +3.3V, OE = GND, Output in high-Z state |
| - | - | +4.0 | Vdd = +1.8V, OE = GND, Output in high-Z state | |||
| スタンバイ時電流 | I_std | - | +2.1 | +4.3 | μA | ST= GND, Vdd = +2.8V ~ +3.3V, Output is weakly pulled down |
| - | +1.1 | +2.5 | ST= GND, Vdd = +2.5V , Output is weakly pulled down | |||
| - | +0.2 | +1.3 | ST= GND, Vdd = +1.8V, Output is weakly pulled down | |||
| デューティーサイクル | DC | 45 | - | 55 | % | All Vdds |
| 0レベル電圧 | VOL | - | - | Vdd × 0.1 | V |
IOL = +4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) IOL = +3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) IOL = +2.0 mA (Vdd = +1.8V) |
| 1レベル電圧 | VOH | Vdd × 0.9 | - | - | V |
IOH = -4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) IOH = -3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) IOH = -2.0 mA (Vdd = +1.8V) |
| 立上り、立下り時間 | Tr,Tf | - | 1.0 | 2.0 | ns | Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V, 20% ~ 80% |
| - | 1.3 | 2.5 | Vdd =+1.8V, 20% ~ 80% | |||
| - | - | 2.0 | Vdd = +2.25V ~ +3.63V, 20% ~ 80% | |||
| OE 0レベル入力電圧 | VIL | - | - | Vdd × 0.3 | V | Pin 1, OE or ST |
| OE 1レベル入力電圧 | VIH | Vdd × 0.7 | - | - | V | Pin 1, OE or ST |
| 起動時間 | T_start | - | - | 5.0 | ms | Vddが定格最小値に達してからの時間 |
|
出力イネーブル時間 出力ディスエーブル時間 |
T_oe | - | - | 130 | ns | f = 110 MHz. For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 * cycles |
| レジューム時間 | T_resume | - | - | 5.0 | ms | ST 端子が50%のしきい値に達してからの時間 |
| RMSピリオドジッタ | T_jitt | - | 1.8 | 3.0 | ps | f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V |
| - | 1.8 | 3.0 | f = 75 MHz, Vdd = +1.8V | |||
| Peak-to-peak ピリオドジッタ | T_pk | - | 12 | 25 | ps | f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V |
| - | 14 | 30 | f = 75 MHz, Vdd = +1.8V | |||
| RMS位相ジッタ (ランダム) | T_phj | - | 0.5 | 0.9 | ps | f = 75 MHz, Integration bandwidth = 900 kHz ~ 7.5 MHz |
| - | 1.3 | 2.0 | f = 75 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz ~ 20 MHz |
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